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IS42S16400N-6BLI

Name: ISSI IS42S16400N-6BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-IS42S16400N-6BLI
Price: 3.9 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-IS42S16400N-6BLI

Herst.- Nr.:

IS42S16400N-6BLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IS42S16400N-6BLI Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM
Speichergröße:	64 Mbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	166 MHz
Verpackung/Gehäuse:	BGA-54
Organisation:	4 M x 16
Zugangszeit:	5.4 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	348
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	80 mA

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Datenblatt

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM

ISSIs 3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM bietet eine breite Auswahl an SDR SDRAM mit Speicherdichten von 16Mbit bis zu 512Mbit in Speicheranordnungen von 1Mx16, 4Mx16 und 8Mx16. Jede dieser Komponenten verfügt über eine einzelne Versorgungsspannung (3,3V +/-0,3V), Standard-SDRAM-Taktung, LVTTL-kompatible Eingänge, programmierbare Burst-Länge von 1, 2, 4, 8 oder Full-Page, Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi sowie eine programmierbare CAS-Latenz von 2 oder 3. Typische Anwendungsbereiche für diese Komponenten sind unter anderem drahtlose Zugangspunkte, Basisstationen, Router, Netzwerkspeicher, Energiemanagement-Anwendungen, industrielle Steuerungen, Infotainment in Fahrzeugen und Fahrzeug-Telematik.
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