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IXXH100N60B3

Name: IXYS IXXH100N60B3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXXH100N60B3
Price: 11.14 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXXH100N60B3

Herst.- Nr.:

IXXH100N60B3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp

Datenblatt:

IXXH100N60B3 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247AD
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.8 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	220 A
Pd - Verlustleistung:	830 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXXH100N60
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT
Gewicht pro Stück:	6,500 g

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Datenblatt

IXXH100N60B3 Datenblatt

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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