KTDM4G4B826BGIEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGIEAT
Price: 10.05 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

473-M4G4B826BGIEAT

Herst.- Nr.:

KTDM4G4B826BGIEAT

Herst.:

SMARTsemi

Beschreibung:

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial

Datenblatt:

KTDM4G4B826BGIEAT Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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2 520	Kostenvoranschlag

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Hersteller:	SMART
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR4
Speichergröße:	4 Gbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	1.333 GHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-78
Organisation:	512 M x 8
Versorgungsspannung - Min.:	1.14 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.26 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Verpackung:	Tray
Marke:	SMARTsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	210
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).