KTDM8G4B632BGCBCT

Name: SMART KTDM8G4B632BGCBCT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-KTDM8G4B63BGCBCT
Price: 11.78 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

473-KTDM8G4B63BGCBCT

Herst.- Nr.:

KTDM8G4B632BGCBCT

Herst.:

SMARTsemi

Beschreibung:

DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

Datenblatt:

KTDM8G4B632BGCBCT Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SMART
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR4
Speichergröße:	8 Gbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	1.6 GHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-96
Organisation:	512 M x 16
Versorgungsspannung - Min.:	1.14 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.26 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Marke:	SMARTsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	BR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).