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LF2190NTR

Name: IXYS LF2190NTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2190NTR
Price: 1.73 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-LF2190NTR

Herst.- Nr.:

LF2190NTR

Herst.:

IXYS Integrated Circuits

Beschreibung:

Gate-Treiber HI LO Side DRVR 3.5A SOIC(N)-8

Datenblatt:

LF2190NTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,73	€ 1,73
	€ 1,28	€ 12,80
	€ 1,17	€ 29,25
	€ 1,04	€ 104,00
	€ 0,98	€ 245,00
	€ 0,946	€ 473,00
	€ 0,944	€ 944,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,944	€ 2 360,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Driver ICs - Various
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	25 ns
Abfallzeit:	20 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	IXYS Integrated Circuits
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Logiktyp:	CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	200 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	200 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	75 uA
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	50 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LF2190NTR Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.

High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs

IXYS High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs bieten eine Senken-/Quellen-Ausgangsstrombelastbarkeit von 600 mA/290 mA bis 4,5 A/4,5 A. Die Bauteile verfügen über einen großen Betriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Zu den Schutzfunktionen gehören Unterspannungssperre (UVLO) und Durchzündungsschutz. Die High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs von IXYS werden von -40 °C bis +125 °C betrieben und sind in SOIC-8-, -14-, -16-Industriestandard-Gehäusen und Pinbelegungen verfügbar.