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MMBT5551W_R1_00701

Name: Panjit MMBT5551W_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-MMBT5551WR100701
Price: 0.14 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-MMBT5551WR100701

Herst.- Nr.:

MMBT5551W_R1_00701

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Datenblatt:

MMBT5551W_R1_00701 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,146	€ 0,15
	€ 0,087	€ 0,87
	€ 0,054	€ 5,40
	€ 0,04	€ 20,00
	€ 0,034	€ 34,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,028	€ 84,00
	€ 0,025	€ 150,00
	€ 0,021	€ 189,00
	€ 0,019	€ 456,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	200 mV
Pd - Verlustleistung:	200 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Panjit
Kollektorgleichstrom:	600 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80 V at 10 mA, 5 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	250 V at 10 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	5 mg

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Datenblatt

MMBT5551W_R1_00701 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (V_CE) of 160V and a collector current (I_C) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.