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NSVBC144EDXV6T1G

Name: onsemi NSVBC144EDXV6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVBC144EDXV6T1G
Price: 0.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVBC144EDXV6T1G

Herst.- Nr.:

NSVBC144EDXV6T1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Digitaltransistoren SS SOT563 RSTR XSTR TR

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NSVBC144EDXV6T1G Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,196	€ 1,96
	€ 0,123	€ 12,30
	€ 0,092	€ 46,00
	€ 0,081	€ 81,00
	€ 0,071	€ 142,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
	€ 0,061	€ 244,00
	€ 0,052	€ 416,00
	€ 0,05	€ 1 200,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:
Konfiguration:	Dual
Transistorpolung:	NPN
Regeleingangswiderstand:	4.7 kOhms
Regelwiderstandsverhältnis:	1.0
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-563
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 VDC
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Pd - Verlustleistung:	357 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NSBC144EDXV6
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kanalmodus:	Enhancement
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Betriebstemperaturbereich:	- 55 C to + 150 C
Ausgangsspannung:	4.9 V
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSVBC144EDXV6T1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren

Onsemi bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und das zusätzliche externe Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen besteht (ein Basisserienwiderstand und ein Basis-Emitter-Widerstand). Durch die Integration dieser einzelnen Bauelemente in einem einzigen Bauteil vereinfacht der BRT auf diesen bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi das Schaltungsdesign und eliminiert diese. Ein BRT reduziert auch die Systemkosten und den Board-Platz.