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NTMFS015N15MC

Name: onsemi NTMFS015N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS015N15MC
Price: 3.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS015N15MC

Herst.- Nr.:

NTMFS015N15MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 150V 15MOHM PQFN56

Datenblatt:

NTMFS015N15MC Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,20	€ 3,20
	€ 2,17	€ 21,70
	€ 1,69	€ 169,00
	€ 1,57	€ 785,00
	€ 1,51	€ 1 510,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,46	€ 4 380,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	61 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	108.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTMFS015N15MC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	122,136 mg

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Datenblatt

NTMFS015N15MC Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi sind N-Kanal-MOSFETs, die Einschaltwiderstand minimieren und eine überragende Schaltleistung mit der erstklassigen Soft-Body-Diode bieten. Dieser MOSFET bietet im Vergleich zu anderen MOSFETs eine niedrigere Q_rr. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verringern Schaltgeräusche/elektromoagnetische Störung (EMI). Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, sowie über eine niedrige Q_G und Kapazität, um die Verluste im Treiber zu reduzieren. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench-MOSFETs kommen in einem kleinen PQFN8-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.