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NTMFS4D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS4D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D5N08XT1G
Price: 0.8 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS4D5N08XT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS4D5N08XT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTMFS4D5N08XT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,412	€ 206,00
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	€ 0,384	€ 576,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	94 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	82 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	61 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NTMFS4D5N08XT1G Datenblatt

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs von onsemi sind Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in den Kategorien 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten, erhöhtem Systemwirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(on), um Leitungsverluste zu minimieren, und eine niedrige Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren. Die T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Q_RRund eine Soft-Recovery-Body-Diode. Diese MOSFETs entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind bleifrei und halogenfrei/BFR-frei. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC-DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Batterieschutz und Motorantriebe.