Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTP7D3N15MC

Name: onsemi NTP7D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP7D3N15MC
Price: 4.55 EUR
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-NTP7D3N15MC

Herst.- Nr.:

NTP7D3N15MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220

Datenblatt:

NTP7D3N15MC Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTP7D3N15MC

Auf Lager: 163

Lagerbestand:: 163 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 40 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 4,55	€ 4,55
	€ 2,38	€ 23,80
	€ 2,17	€ 217,00
	€ 1,94	€ 970,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	101 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	166 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTP7D3N15MC
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTP7D3N15MC Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench® -MOSFETs von Onsemi sind n-Kanal und bieten optimierte Schaltleistung. Dieser MOSFET verfügt über eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Body-Diode für ein besonders geräuscharmes Schalten. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringeren Schaltspitzen und geringerer elektromoagnetischer Störung (EMI). Sie verbessern die Umschaltungs-Gütezahl (FOM). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung für ATX-/Server-/Telekommunikations-PSU, Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Mikro-Solarwechselrichter.