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NTTFS2D1N04HLTWG

Name: onsemi NTTFS2D1N04HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS2D1N04HLTWG
Price: 1.65 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS2D1N04HLTWG

Herst.- Nr.:

NTTFS2D1N04HLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

Datenblatt:

NTTFS2D1N04HLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,65	€ 1,65
	€ 1,06	€ 10,60
	€ 0,711	€ 71,10
	€ 0,564	€ 282,00
	€ 0,525	€ 525,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,489	€ 1 467,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	43.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTTFS2D1N04HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTTFS2D1N04HLTWG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.

NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verwenden die leistungsstarke abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie für einen extrem niedrigen R_DS(on). Diese Einkanal-MOSFETs von onsemi bieten ein geringes Schaltrauschen/EMI und ein vollständig UIL-getestetes robustes MSL1-Gehäusedesign. Die NTTFSxD1N0xHL MOSFETs sind in einem bleifreien, halogenfreien/BFR-freien und RoHs-konformen WDFN8-Gehäuse erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Abwärtswandler, Punktlast, Lastschalter mit hohem Wirkungsgrad und Low-Side-Schaltung, O-Ring-FETs, DC/DC-Netzteile und synchrone MV-Abwärtswandler.