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NVH4L022N120M3S

Name: onsemi NVH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L022N120M3S
Price: 27.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVH4L022N120M3S

Herst.- Nr.:

NVH4L022N120M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Datenblatt:

NVH4L022N120M3S Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 21,10	€ 211,00
	€ 21,09	€ 2 530,80
	€ 21,08	€ 10 750,80
1 020	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	151 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	352 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	34 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	NVH4L022N120M3S
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns

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Datenblatt

NVH4L022N120M3S Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVH4L022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs NVH4L022N120M3S von ON Semiconductor bieten eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit als herkömmliche Silizium-MOSFETs. Die MOSFETs NVH4L022N120M3S von ON Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chipgröße aus, die eine geringe Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine kleinere Systemgröße.

M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs sind für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativem Gate-Spannungsantrieb und Ausschaltspitzen auf dem Gate. Die M3S 1.200-V-MOSFETs von onsemi bieten eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem Gate-Drive von 18 V, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Der M3S bietet geringe Schaltverluste und ist in einem TO247-4LD-Gehäuse für eine niedrige gemeinsame Quelleninduktivität untergebracht.

M3S EliteSiC-MOSFETs

Die EliteSiC-MOSFETs M3S von onsemi sind Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien. Die MOSFETs M3S von onsemi wurden entwickelt, um Leistung und Effizienz zu optimieren. Das Gerät bietet eine bemerkenswerte Reduzierung der Gesamtschaltverluste (Etot) um ~40 % im Vergleich zu den 1200-V-20-mΩ-M1-Modellen. Die EliteSiC-MOSFETs M3S eignen sich perfekt für verschiedene Anwendungen, darunter Solarstromanlagen, Bordladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV).