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NVMFS5C420NLT1G

Name: onsemi NVMFS5C420NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C420NLT1G
Price: 3.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS5C420NLT1G

Herst.- Nr.:

NVMFS5C420NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V LL

Datenblatt:

NVMFS5C420NLT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,29	€ 3,29
	€ 2,23	€ 22,30
	€ 1,70	€ 170,00
	€ 1,55	€ 775,00
	€ 1,44	€ 1 440,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 1,44	€ 2 160,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	277 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	100 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	146 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NVMFS5C420NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NVMFS5C420NLT1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

Automotive-Leistungs-MOSFETs

Die Automotive-Leistungs-MOSFETs von onsemi verfügen über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine/n niedrige/n Q_g/Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Diese MOSFETs senken Schaltverluste/elektromagnetische Störungen (EMI). Diese Automotive-Leistungs-MOSFETs werden in einem TO-Leadless-Gehäuse (TOLL) für effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung geliefert. Diese MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig. Diese Bauteile eignen sich für Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, unbemannte Luftfahrzeuge (UAV)/Drohnen, Materialtransport, Batteriemanagementsystem (BMS)/Speicher und Heimautomatisierung.

n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor werden unter Verwendung von Fairchild Semiconductors fortschrittlichem PowerTrench®-Prozess produziert, der maßgeschneidert wurde, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch die erstklassige Schaltleistung aufrecht zu erhalten. Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor sind in einer Auswahl von Drain-Source-Spannungs-Spezifikationen zwischen 30V und 250V verfügbar.

Der FDD10N20LZ und der FDD7N25LZ sind Leistungsfeldeffekt-Transistoren vom n-Kanal-Anreicherungstyp, die unter Verwendung von Fairchilds geschützter Planar-Streifen-DMOS-Technologie produziert werden. Diese fortschrittliche Technologie wurde maßgeschneidert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und eine erstklassige Schaltleistung sowie eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Stromstöße im Avalanche- und Kommutierungsmodus zu bieten. Diese Geräte eignen sich sehr gut für hocheffiziente Schaltnetzteile und aktive Leistungsfaktorkorrektur.

Der FDMC6296 ist ein einzelner n-Kanal-MOSFET in einem thermisch effizienten MicroFET-Gehäuse, das speziell entworfen wurde, um gut in Point-of-Load-Wandlern zu arbeiten. Dieser Baustein liefert ein optimiertes Gleichgewicht zwischen R_DS(on) und der Gate-Ladung und kann so effektiv als „Hochseiten“-Steuerschalter oder „Niedrig-Seiten“-Synchron-Gleichrichter verwendet werden.
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