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PBZTBR12.2B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR12.2B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR12.2B
Price: 0.7 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-PBZTBR12.2B

Herst.- Nr.:

PBZTBR12.2B

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Zener-Dioden 1000mW, 0.7V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

Datenblatt:

PBZTBR12.2B Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 0,436	€ 4,36
	€ 0,285	€ 28,50
	€ 0,223	€ 111,50
	€ 0,194	€ 194,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,157	€ 471,00
	€ 0,149	€ 894,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Zener-Dioden
RoHS:
Vz - Zener-Spannung:	2.2 V
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DO-214AA-2
Pd - Verlustleistung:	1 W
Ir – Maximaler Sperrstrom:	200 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Teststrom:	40 mA
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Höhe:	3.94 mm
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Länge:	4.7 mm
Produkt-Typ:	Zener Diodes
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Breite:	2.45 mm
Zener-Strom:	200 uA

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Datenblatt

PBZTBR12.2B Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
ECCN:: EAR99

PBZTBR1x Zener-Dioden

ROHM Semiconductor PBZTBR1x Zener-Dioden verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit und ein kleines Power-Mold-Bauelement mit Silizium-Epitaxial-Planarstruktur. Diese Zener-Dioden bieten eine Verlustleistung von 1000mW und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die PBZTBR1x Zenerdioden werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C gelagert. Diese Zener-Dioden sind in einem DO-214AA-Gehäuse (SMB) verfügbar. Die PBZTBR1x Zener-Dioden AR werden bei der Spannungsregelung verwendet.