PJQ5526_R2_00201

Panjit
241-PJQ5526_R2_00201
PJQ5526_R2_00201

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

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Panjit
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5060X-8
N-Channel
1 Channel
30 V
68 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
35.7 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Panjit
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 23 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Artikel # Aliases: PJQ5526
Gewicht pro Stück: 80 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.