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PMX400UPZ

Name: Nexperia PMX400UPZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMX400UPZ
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMX400UPZ

Herst.- Nr.:

PMX400UPZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT8013 P-CH 20V .9A

Datenblatt:

PMX400UPZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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€ -,--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 15000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,628	€ 0,63
	€ 0,431	€ 4,31
	€ 0,273	€ 27,30
	€ 0,169	€ 84,50
	€ 0,125	€ 125,00
	€ 0,111	€ 277,50
	€ 0,096	€ 480,00
	€ 0,084	€ 840,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 15000)
	€ 0,084	€ 1.260,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-0603-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	900 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	500 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Verpackung ab Werk:	15000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.5 ns
Artikel # Aliases:	934662406317

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte bieten WLCSP- und unbedrahtete DFN-Gehäuse für mobile und tragbare Applikationen. Die SSMOS-Gehäuse von Nexperia bieten eine extrem kleine DFN-Lösung in der heutigen häufig verwendeten Rastermaß-Größe von 0,35 mm. Diese extrem kleinen Gehäuse sind eine ideale Ersatzlösung, wo Platz entscheidend ist. Sie bieten eine erhebliche Platzeffizienz bei minimalem Montageaufwand. Alle Teile sind sowohl als n-Kanal als auch p-Kanal erhältlich und mit einem ESD-Schutz von > 2 kV und einer hohen Leistungsfähigkeit von > 1.300 mW ausgestattet.