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PSMN5R5-100YSFX

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN5R5-100YSFX

Herst.- Nr.:

PSMN5R5-100YSFX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 100V 115A

Datenblatt:

PSMN5R5-100YSFX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-669-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	115 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	238 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934661576115

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Datenblatt

PSMN5R5-100YSFX Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NextPower 80-/100-V-MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs werden für Schaltapplikationen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit empfohlen. Die NextPower MOSFETs verfügen über einen niedrigeren 50 % R_DS(on) und eine starke Avalanche-Energieeinstufung. Die Bauteile eignen sich hervorragend für Netzteile, Telekommunikation, Industriedesigns, USB-PD-Typ-C-Ladegeräte und -Adapter sowie 48 V DC/DC-Adapter. Die Bauteile verfügen über geringe Body-Dioden-Verluste mit Q_rr bis hinunter zu 50 Nanocoulomb (nC). Dies führt zu einem niedrigeren Sperrverzögerungsstrom (I_RR), niedrigeren Spannungsspitzen (V_peak) und reduziertem Überschwingen für eine weitere optimierte Totzeit.