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QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-QH8JB5TCR

Herst.- Nr.:

QH8JB5TCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Datenblatt:

QH8JB5TCR Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,989	€ 9,89
	€ 0,662	€ 66,20
	€ 0,524	€ 262,00
	€ 0,479	€ 479,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,452	€ 1 356,00
	€ 0,447	€ 2 682,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSMT-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	17.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	43 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 - P Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	82 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.2 ns
Artikel # Aliases:	QH8JB5
Gewicht pro Stück:	10 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

QH8J Pch Leistungs-MOSFETs

Die QH8J Pch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und sind in einem A -Hochleistungs-small-mold-Gehäuse (TSMT8) untergebracht. Der ROHM bietet ein breites Spannungsangebot von Kleinsignalprodukten bis zu 800 V Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.