Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

R8002KND3TL1

Name: ROHM Semiconductor R8002KND3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KND3TL1
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R8002KND3TL1

Herst.- Nr.:

R8002KND3TL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET

Datenblatt:

R8002KND3TL1 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor R8002KND3TL1

Auf Lager: 5 082

Lagerbestand:: 5 082 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 1,81	€ 1,81
	€ 1,14	€ 11,40
	€ 0,784	€ 78,40
	€ 0,697	€ 348,50
	€ 0,583	€ 583,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,555	€ 1 387,50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	7.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	100 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	R8002KND3

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

R8002KND3TL1 Datenblatt

Specification Sheets

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

R8002KN N-Kanal 800-V- 1,6-A-Leistungs-MOSFET

Der R8002KN N-Kanal 800-V- 1,6-A-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Bauteil mit niedrigem Einschaltwiderstand und schnellem Schaltverhalten. Der R8002KN verfügt über eine bleifreie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs werden parallel verwendet, was einfach zu handhaben ist.