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RFN10RSM2STFTL1

Name: ROHM Semiconductor RFN10RSM2STFTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN10RSM2STFTL1
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RFN10RSM2STFTL1

Herst.- Nr.:

RFN10RSM2STFTL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Gleichrichter 200V 10A 15ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode for Automotive

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RFN10RSM2STFTL1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,69	€ 1,69
	€ 1,08	€ 10,80
	€ 0,725	€ 72,50
	€ 0,609	€ 304,50
	€ 0,538	€ 538,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
	€ 0,501	€ 2.004,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Gleichrichter
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-277A-3
Vr - Sperrspannung:	200 V
If - Durchlassstrom:	10 A
Typ:	Ultra Fast Recovery Diode
Konfiguration:	Single
Vf - Durchlassspannung:	960 mV
Max. Spitzenstrom:	130 A
Ir - Sperrstrom:	1 uA
Rückstellungszeit:	25 ns
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Produkt:	Rectifiers
Produkt-Typ:	Rectifiers
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

RFNxRSM2S Ultra Fast Recovery Dioden

ROHM Semiconductor RFNxRSM2S Ultra Fast Recovery Dioden sind epitaktische planare Silizium-Dioden mit niedriger Durchlassspannung und geringem Schaltverlust. Diese ultraschnellen Dioden haben eine Spitzensperrspannung von 200 V und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis 175°C. Die RFNxRSM2S ultraschnellen Dioden bieten eine hohe Stromüberlastfähigkeit. Diese Dioden sind in einem TO-277A-Gehäuse untergebracht. Die RFNxRSM2S ultraschnellen Dioden sind RoHS-konform und ideal für die allgemeine Gleichrichtungsapplikationen.