Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SBC846BPDW1T3G

Name: onsemi SBC846BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T3G
Price: 0.23 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-SBC846BPDW1T3G

Herst.- Nr.:

SBC846BPDW1T3G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN PNP Bipolar Transistor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SBC846BPDW1T3G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi SBC846BPDW1T3G

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 48 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 0,232	€ 0,23
	€ 0,144	€ 1,44
	€ 0,09	€ 9,00
	€ 0,066	€ 33,00
	€ 0,052	€ 52,00
	€ 0,045	€ 225,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,04	€ 400,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
Transistorpolung:	NPN, PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	65 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Pd - Verlustleistung:	380 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	100 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	BC846BPDW1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	- 100 mA, 100 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	200
DC Stromverstärkung hFE max.:	800
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SBC846BPDW1T3G Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1 Bipolartransistoren

Onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind Dual-Universal-Transistoren, die für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen ausgelegt sind. Diese NPN/PNP-Transistoren sind im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht. Die BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und in einem bleifreien Gehäuse verfügbar. Diese NPN/PNP-Transistoren sind halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Die bipolaren Transistoren eignen sich hervorragend für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen.