SCS215AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS215AGC17
SCS215AGC17

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen

Lebenszyklus:
NRND:
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Datenblatt:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
15 A
650 V
1.55 V
52 A
300 uA
+ 175 C
Tube
Marke: ROHM Semiconductor
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Pd - Verlustleistung: 110 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
Artikel # Aliases: SCS215AG
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Specification Sheets

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CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

TO-220ACG SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die TO-220ACG Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) von ROHM Semiconductor haben einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V und einen kontinuierlichen Sperrstrombereich von 1,2 µA bis 20,0 µA. Die SiC-Technologie ermöglicht es diesen Bauelementen, eine niedrige kapazitive Ladung (QC) beizubehalten, was die Schaltverluste verringert und gleichzeitig einen schnellen Schaltbetrieb ermöglicht. Darüber hinaus behalten SiC-Bauelemente im Gegensatz zu den Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen die Rückwärtserholungszeit mit der Temperatur ansteigt, konstante Eigenschaften bei, was zu einer besseren Leistung führt.

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