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SGT190R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT190R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT190R70ILB
Price: 3.32 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT190R70ILB

Herst.- Nr.:

SGT190R70ILB

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

SGT190R70ILB Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,32	€ 3,32
	€ 2,32	€ 23,20
	€ 1,80	€ 180,00
	€ 1,60	€ 800,00
	€ 1,51	€ 1.510,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,38	€ 4.140,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-8
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	2.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	1.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.4 ns

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Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Modus PowerGaN-Transistoren

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN-Transistoren von STMicroelectronics sind hochleistungsfähige Anreicherungsmodus-GaN-Bauteile (normalerweise ausgeschaltet), die entwickelt wurden, um außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Leitungsverluste und eine hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Leistungsumwandlungs-Applikationen zu ermöglichen. Diese Transistoren nutzen die vorteilhafte große Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Sperrverzögerungsladung von null zu erzielen, was einen überlegenen Wirkungsgrad im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungsschaltern ermöglicht.