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SH8KA4TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KA4TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KA4TB1
Price: 1.41 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SH8KA4TB1

Herst.- Nr.:

SH8KA4TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET

Datenblatt:

SH8KA4TB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 1,41	€ 1,41
	€ 0,903	€ 9,03
	€ 0,599	€ 59,90
	€ 0,472	€ 236,00
	€ 0,431	€ 431,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,394	€ 985,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	15.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	SH8KA4

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Datenblatt

SH8KA4TB1 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs

Die SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über zwei 40-V- oder 60-V-MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren SOP8-Gehäuse mit acht Anschlüssen. Die SH8K-Baureihe bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und einen maximalen R_DS(on) von 8,4 mΩ, 12,4 mΩ oder 19,4 mΩ. Weitere Merkmale sind die 2 W Verlustleistung und die ±8,5 A, ±10,5 oder ±13,5 A Drainstrom-ID. Diese RoHS-konformen MOSFETs sind halogenfrei und verwenden eine Pb-freie Beschichtung. Die SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs von ROHM Semiconductor sind ideal für Schaltanwendungen geeignet.