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SI4459ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4459ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI4459ADY-T1-GE3
Price: 2.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI4459ADY-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI4459ADY-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

Datenblatt:

SI4459ADY-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,45	€ 2,45
	€ 1,59	€ 15,90
	€ 1,10	€ 110,00
	€ 0,903	€ 451,50
	€ 0,845	€ 845,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,747	€ 1 867,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	129 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	7.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	24 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Serie:	SI4
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Artikel # Aliases:	SI4459ADY-GE3
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

SI4459ADY-T1-GE3 Datenblatt

Application Notes

Mounting LITTLE FOOT‚ SO-8 Power MOSFETs

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.

Si4-MOSFETs

Die Si4-MOSFETS von Vishay/Siliconix sind Leistungs-MOSFETs vom Typ TrenchFET^®, die zur Verstärkung elektronischer Signale verwendet werden. Diese Si4-MOSFETS sind in den Ausführungen N-Kanal, P-Kanal sowie N- und P-Kanal erhältlich.Die Si4-MOSFETs bieten unterschiedliche V_GS, V_DS und Temperaturbereiche. Die Si4-MOSFETs arbeiten in einem Erweiterungsmodus und werden zum Umschalten zwischen elektronischen Signalen verwendet. Diese MOSFETs sind Oberflächen-montiert, 100 % R_g- und UIS-getestet und werden in einer Verpackungseinheit geliefert.
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