Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SI7633DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7633DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7633DP-GE3
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7633DP-GE3

Herst.- Nr.:

SI7633DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SI7633DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SI7633DP-T1-GE3

Auf Lager: 704

Lagerbestand:: 704 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,06	€ 2,06
	€ 1,28	€ 12,80
	€ 0,912	€ 91,20
	€ 0,725	€ 362,50
	€ 0,715	€ 715,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,715	€ 2 145,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	260 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns
Artikel # Aliases:	SI7633DP-GE3
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SI7633DP-T1-GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.

Si76-Baureihe MOSFETs

Vishay Semiconductors Si76-Baureihe MOSFETs sind TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs für Low-Side-Schalter in DC/DC-Wandlern und O-Ringe. Die p- und n-Kanal-MOSFETs sind 100 % Avalanche- und R_g -getestet. Die MOSFETs der Si76-Baureihe von Vishay bieten eine große Auswahl von Gehäusen und Spannungen für Benutzeranforderungen.