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SI7892BDP-T1-GE3

Name: Vishay SI7892BDP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7892BDP-T1-GE3
Price: 2.62 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7892BDP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI7892BDP-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V

Datenblatt:

SI7892BDP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,62	€ 2,62
	€ 1,68	€ 16,80
	€ 1,20	€ 120,00
	€ 1,01	€ 505,00
	€ 0,937	€ 937,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,886	€ 2 658,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	85 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	62 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Artikel # Aliases:	SI7892BDP-GE3
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SI7892BDP-T1-GE3 Datenblatt

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SI78 n-Kanal(D-S)-MOSFETs

Vishay Semiconductors SI78 n-Kanal(D-S)-MOSFETs sind in einem neuen PowerPAK^® -Gehäuse mit niedrigem thermischem Widerstand und einem niedrigen Profil von 1,07 mm erhältlich. Diese n-Kanal(D-S)-MOSFETs sind PWM-optimiert, 100 % R_g-getestet, halogenfrei und RoHs-konform. Die SI78 MOSFETs werden in DC/DC-Wandlern, primärseitigen Schaltern für DC/DC-Applikationen und Synchrongleichrichtern verwendet.