SISF20DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF20DN-T1-GE3
SISF20DN-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 2,26 € 2,26
€ 1,44 € 14,40
€ 1,03 € 103,00
€ 0,877 € 438,50
€ 0,772 € 772,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,72 € 2.160,00
€ 0,689 € 4.134,00
€ 0,682 € 6.138,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212SCD-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: SISF
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
Gewicht pro Stück: 488,500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrierte MOSFETs mit Common-Drain

Vishay Integrierte MOSFETs mit Common-Drain verfügen über 1, 2 und 3 Kanäle und bieten eine Oberflächenmontage. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und n+p-Kanal-Optionen sowie einen Durchschlagspannungsbereich von 20 V bis 200 V. Die Anreischerungstyp-MOSFETs sind mit sechs oder 8 Pins ausgestattet und bieten einen Verlustleistungsbereich von 1,5 W bis 69,4 W und einen Drain-Source-Widerstand von 2,15 mΩ bis 26 mΩ.

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten. 

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen RDS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

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