SISS54DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISS54DN-T1-GE3
SISS54DN-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 2,12 € 2,12
€ 1,37 € 13,70
€ 0,937 € 93,70
€ 0,746 € 373,00
€ 0,735 € 735,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,697 € 2.091,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8S
N-Channel
1 Channel
30 V
185.6 A
1.06 mOhms
- 12 V, 16 V
2.2 V
47.5 nC
- 55 C
+ 150 C
65.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 117 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7 ns
Serie: SISS
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: TrenchFET Gen V Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET®-Gen-V-MOSFETs

Der Vishay/Siliconix SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET-Gen-V-Leistungs-MOSFET ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem RDS (on). Dieser Leistungs-MOSFET bietet 30 V VDS und eine sehr niedrige RDS x Qg -Gütezahl (FOM). Der SiSS52DN n-Kanal-MOSFET verfügt typischerweise über 162 A ID und 19.9nC QG. Während der SiSS54DN n-Kanal-MOSFET typischerweise über 185,6 A ID und 21 nC Qg verfügt.Dieser 100 % Rg — und UIS-getestete (Unclamped Inductive Switching, UIS) MOSFET wird in einem thermisch verbesserten kompakten PowerPAK® 1212-8S -Gehäuse mit einer Einzelkonfiguration geliefert. Zu den typischen Anwendungsfällen gehören DC/DC-Wandler, Punktlast (POLs), Synchrongleichrichtung, Leistungs- und Lastschalter und Batteriemanagement.

TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFETs mit VDS

Die TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFETs von Vishay / Siliconix erhöhen den Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung mit einer sehr niedrigen RDS x Qg -Gütezahl (FOM). Die Gen-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über Drain-Source-Durchschlagspannungsoptionen von 80 V, 100 V und 150 V. Die Gen-V-Leistungs-MOSFETs sind in einem PowerPAK® -1212-8SH- oder PowerPAK-SO-8-Einzelgehäuse verfügbar.

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