SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors
78-SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (EUR)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 3,56 € 3,56
€ 2,61 € 26,10
€ 1,86 € 186,00
€ 1,72 € 860,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
€ 1,60 € 3.200,00
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Triple
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: DE
Abfallzeit: 2 ns, 10 ns, 19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 16 S, 19 S, 65 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3 ns, 9 ns, 12 ns
Serie: SQUN
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 15 ns, 22 ns, 43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7 ns, 8 ns, 10 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrierte MOSFETs mit Common-Drain

Vishay Integrierte MOSFETs mit Common-Drain verfügen über 1, 2 und 3 Kanäle und bieten eine Oberflächenmontage. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und n+p-Kanal-Optionen sowie einen Durchschlagspannungsbereich von 20 V bis 200 V. Die Anreischerungstyp-MOSFETs sind mit sechs oder 8 Pins ausgestattet und bieten einen Verlustleistungsbereich von 1,5 W bis 69,4 W und einen Drain-Source-Widerstand von 2,15 mΩ bis 26 mΩ.

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus. 

Thermisch verbesserte n- und p-Kanal-MOSFET-Paare

Die thermisch verbesserten n- und p-Kanal-MOSFETs von Vishay kombinieren die n-Kanal- und p-Kanal-MOSFET-Paare in einem einzigen Gehäuse. Diese n- und p-Kanal-MOSFETs sind zur Reduzierung des Einschaltwiderstands (RDS(on)) ausgelegt, während sie gleichzeitig eine hervorragende Schaltleistung aufrechterhalten. Darüber hinaus wird durch die Kombination der n-Kanal- und p-Kanal-MOSFETs in einen einzelnen IC PC-Platz gespart und das Applikationsdesign vereinfacht. 

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