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STL320N4LF8

Name: STMicroelectronics STL320N4LF8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL320N4LF8
Price: 2.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL320N4LF8

Herst.- Nr.:

STL320N4LF8

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

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Datenblatt:

STL320N4LF8 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,56	€ 2,56
	€ 1,62	€ 16,20
	€ 1,20	€ 120,00
	€ 1,02	€ 510,00
	€ 0,894	€ 894,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,886	€ 2 658,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	360 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	800 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STripFET F8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET

STMicroelectronics STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET wird mit STRipFET F8 Trench MOSFET Technologie hergestellt. Das Gerät ist vollständig für den industriellen Einsatz qualifiziert. Die STL320N4LF8 reduziert den On-Widerstand und die Schaltverluste und optimiert gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Drain-Diode. Der MOSFET spart Energie und sorgt für ein geringes Rauschen in Schaltungen zur Leistungsumwandlung und Motorsteuerung.

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.