VS-4C06ET07S2L-M3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C06ET07S2L-M3
VS-4C06ET07S2L-M3

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Vishay
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263AB-2
Single
6 A
650 V
1.3 V
39 A
35 uA
- 55 C
+ 175 C
4C06ET07S2L-M3
Reel
Cut Tape
Marke: Vishay Semiconductors
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Pd - Verlustleistung: 59 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

Vishay Semiconductors Leistungs-Siliziumkarbid (SiC) Schottky Dioden sind fortschrittliche, hochleistungsfähige Gleichrichter, die für außergewöhnliche Effizienz, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurden. Auf Basis von Wide-Bandgap SiC Technologie bieten diese Vishay Dioden praktisch keine Rückwärts-Erholung elektrische Ladung extrem schnelles Schalten Fähigkeit und Temperaturinvarianz Betriebsverhalten wodurch Bauteile sich ideal für HighFrequenz Leistungsumwandlung Systeme der nächsten Generation eignen.