VS-4C06ET07S2LHM3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C06ET07S2LHM3
VS-4C06ET07S2LHM3

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 800

Lagerbestand:
800 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 3,08 € 3,08
€ 2,01 € 20,10
€ 1,54 € 154,00
€ 1,29 € 645,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
€ 1,19 € 952,00
€ 1,12 € 2.688,00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Vishay
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263AB-2
Single
6 A
650 V
1.3 V
39 A
35 uA
- 55 C
+ 175 C
4C06ET07S2LHM3
Reel
Cut Tape
Marke: Vishay Semiconductors
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Pd - Verlustleistung: 59 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

Vishay Semiconductors Leistungs-Siliziumkarbid (SiC) Schottky Dioden sind fortschrittliche, hochleistungsfähige Gleichrichter, die für außergewöhnliche Effizienz, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurden. Auf Basis von Wide-Bandgap SiC Technologie bieten diese Vishay Dioden praktisch keine Rückwärts-Erholung elektrische Ladung extrem schnelles Schalten Fähigkeit und Temperaturinvarianz Betriebsverhalten wodurch Bauteile sich ideal für HighFrequenz Leistungsumwandlung Systeme der nächsten Generation eignen.