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ZXMN6A09GQTA

Name: Diodes Incorporated ZXMN6A09GQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-ZXMN6A09GQTA
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-ZXMN6A09GQTA

Herst.- Nr.:

ZXMN6A09GQTA

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R 1K

Datenblatt:

ZXMN6A09GQTA Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,93	€ 1,93
	€ 1,26	€ 12,60
	€ 0,85	€ 85,00
	€ 0,679	€ 339,50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 0,613	€ 613,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-223-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	24.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4.6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.9 ns
Gewicht pro Stück:	112 mg

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Datenblatt

ZXMN6A09GQTA Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Automotive-MOSFETs

Die Automotive-MOSFETs von Diodes Incorporated erfüllen die Anforderungen für Zuverlässigkeit gemäß AEC-Q101-Standard des Automotive Electronic Council. Produkte mit einem „Q“-Suffix bezeichnen Automobilstandard-Produkte. Das bedeutet, dass das Bauteil die strengen Anforderungen des AEC-Q101-Standards erfüllt und für Fahrzeuganwendungen vollständig unterstützt ist. Die MOSFETs unterstützen Kunden mit PPAP (Produktionsteil-Abnehmeverfahren) und TS16949-genehmigten Produktionsstandorten.