Navitas Semiconductor Halbleiter

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Menge RoHS
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
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GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
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GeneSiC Semiconductor Gleichrichter 200V 35A REV Leads Std. Recovery
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GeneSiC Semiconductor Brückengleichrichter 400 V - 25 A
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GeneSiC Semiconductor Gleichrichter 200V 35A Std. Recovery
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GeneSiC Semiconductor Gleichrichter 400V 40A Std. Recovery
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GeneSiC Semiconductor Gleichrichter SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV
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GeneSiC Semiconductor Gleichrichter SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV
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GeneSiC Semiconductor Gleichrichter 50V 6A Fast Recovery
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GeneSiC Semiconductor Brückengleichrichter 600 V - 25 A
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500Auf Bestellung
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GeneSiC Semiconductor Brückengleichrichter 600 V - 25 A
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Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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: 5 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5 000
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: 5 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5 000
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: 5 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5 000
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: 5 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 170mOhm PQFN 88
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 520mOhm DPAK-2L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
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: 2 500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 330mOhm DPAK-2L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
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: 2 500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 260mOhm DPAK-2L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 210mOhm DPAK-2L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 170mOhm DPAK-2L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
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: 2 500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500