GP3T020A120H

Name: SemiQ GP3T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T020A120H
Price: 10 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP3T020A120H

Herst.- Nr.:

GP3T020A120H

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

GP3T020A120H Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	280 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	234 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	429 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	24 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	GP3T
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	59 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns

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Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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