2EDL8124GXUMA1

Infineon Technologies
726-2EDL8124GXUMA1
2EDL8124GXUMA1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber LEVEL SHIFT DRIVER

ECAD Model:
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
VDSON-8
2 Driver
2 Output
4 A
8 V
17 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Eingangsspannung – Max: 5 V
Eingangsspannung – Min: 0 V
Logiktyp: CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 54 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 54 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 2.9 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 54 ns
Verpackung ab Werk: 6000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Handelsname: EiceDRIVER
Artikel # Aliases: 2EDL8124G SP005406435
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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