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IAUCN04S7N040HATMA1

Name: Infineon IAUCN04S7N040HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN04S7N040HAT
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IAUCN04S7N040HAT

Herst.- Nr.:

IAUCN04S7N040HATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IAUCN04S7N040HATMA1 Datenblatt (PDF)

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	€ 0,75	€ 75,00
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	€ 0,521	€ 521,00
	€ 0,516	€ 1 290,00
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	€ 0,496	€ 2 480,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	82 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.01 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	13 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	52 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Artikel # Aliases:	IAUCN04S7N040H SP006008355

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Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40-V-Automotive-Leistungs-MOSFETs sind Hochstrom-MOSFETs mit niedrigem R_DS(on) und optimiertem Schaltverhalten. Diese N-Kanal- Fahrzeug MOSFETs bieten Hochleistungsdichte, geringe Leitungsverluste und Hochstromdichte. Die OptiMOS™ 7 MOSFETs sind in einem fortschrittlichen unbedrahteten 3 mm x 3 mm Gehäuse mit Cu-Clip für einen niedrigen Gehäuse-Ron und eine minimale Streuinduktivität verfügbar. Diese MOSFETs sind 100 % Avalanche-getestet und RoHs-konform. Die OptiMOS™ 7 MOSFETs eignen sich hervorragend für Applikationen, wie z. B. Leistungsverteilung, Fensterheber, Powersitz, EPS mit hoher Redundanz und Karosseriesteuerungsmodule.

OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

Infineon Technologies stellt seine führende OptiMOS™ 7 Fahrzeug Leistungs-MOSFETs -Technologie mit bemerkenswert niedrigem Einschaltwiderstand, reduzierten Schaltverlusten und erhöhter Robustheit vor. OptiMOS 7 definiert die Landschaft der Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge neu. Die OptiMOS 7 MOSFET-Technologie von Infineon legt einen neuen Standard für Fahrzeuganwendungen fest, der Leistung und Wirkungsgrad ermöglicht und gleichzeitig die Herausforderungen der Fahrzeugsysteme von morgen erfüllt.