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TPN2R304PL,L1Q

Name: Toshiba TPN2R304PL,L1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPN2R304PLL1Q
Price: 1.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TPN2R304PLL1Q

Herst.- Nr.:

TPN2R304PL,L1Q

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 40 Volt N-Channel

Datenblatt:

TPN2R304PL,L1Q Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,16	€ 1,16
	€ 0,729	€ 7,29
	€ 0,482	€ 48,20
	€ 0,377	€ 188,50
	€ 0,32	€ 320,00
	€ 0,315	€ 787,50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,299	€ 1 495,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSON-Advance-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	41 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSIX-H
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	JP
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	12.2 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.8 ns
Serie:	TPN2R304PL
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17.5 ns
Gewicht pro Stück:	20 mg

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Datenblatt

TPN2R304PL,L1Q Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.