RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs POWER TRS1

Lebenszyklus:
Beschränkte Verfügbarkeit:
Diese Teilenummer ist derzeit nicht bei Mouser erhältlich. Das Produkt wird eventuell eingeschränkt vertrieben oder es handelt sich um eine Sonderbestellung ab Werk.
Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 4

Lagerbestand:
4 sofort lieferbar
Bestellmengen größer als 4 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 12,49 € 12,49
€ 9,33 € 93,30
€ 8,06 € 967,20
€ 7,63 € 3 891,30
€ 7,13 € 7 272,60

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Renesas Electronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
Marke: Renesas Electronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 20 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Kriechstrom Gate-Emitter: 1 uA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RJP65T43DPM Hochgeschwindigkeits-Schalt-IGBT

Der RJP65T43DPM Hochgeschwindigkeits-Schalt-IGBT von Renesas Electronics ist ein 650 V, 20 A IGBT mit einem Betriebsfrequenzbereich von 20 kHz bis 100 kHz. Dieser IGBT bietet eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und wird in einem TO-3PFM-Gehäuse geliefert. Der RJP65T43DPM IGBT hat einen Kollektorspitzenstrom von 150 A, eine Kollektorverlustleistung von 68,8 W und eine Sperrschichttemperatur von 175 °C. Dieser IGBT wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gespeichert und zu den typischen Applikationen gehören die Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

EMPFOHLENE PRODUKTE
RENESAS ELECTRONICS

Supplier Image
Alle neuen Produkte von Renesas Electronics anzeigen

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.