PJX138KR100001 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Panjit MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Datenblatt
27 187Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs SOT563 N-CH 50V .35A
Datenblatt
N/A

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement
Panjit MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 8 000
Mult.: 8 000
: 8 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel