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IPTC007N06NM5ATMA1

Name: Infineon IPTC007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TC007N06NM5ATMA1
Price: 6.22 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-TC007N06NM5ATMA1

Herst.- Nr.:

IPTC007N06NM5ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 60V

Datenblatt:

IPTC007N06NM5ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 4,21	€ 42,10
	€ 3,12	€ 312,00
	€ 3,03	€ 1.515,00
	€ 2,83	€ 2.830,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)
	€ 2,83	€ 5.094,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HDSOP-16
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	454 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	750 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	209 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	330 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	IPTC007N06
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	38 ns
Artikel # Aliases:	IPTC007N06NM5 SP005753483

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Datenblatt

IPTC007N06NM5ATMA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs sind dazu konzipiert, den Anforderungen nach verbesserter Systemeffizienz bei reduzierten Systemkosten zu entsprechen. Diese Geräte weisen niedrigeren RDS(on) und Gütefaktor (RDS(on) x Qg) auf, verglichen mit alternativen Geräten. Sie wurden unter Verwendung einer neuen Siliziumtechnologie entwickelt und sind optimiert, um den Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu entsprechen und diese zu übertreffen. Zu den typischen Anwendungsbereichen dieser MOSFETs gehören Server, Datenkommunikation und Client-Anwendungen in der Computerbranche. Sie können außerdem in der Synchrongleichrichterschaltung bei Schaltnetzteilen(SMPS) sowie als Motorsteuerung, Mikro-Solar-Wechselrichter und schnell schaltenden DC-DC-Wandler-Anwendungen genutzt werden.
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