ISSI Embedded Lösungen

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ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166Mhz, 50 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166Mhz, 50 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 108

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500