ISSI Embedded Lösungen

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000


ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,256K x 16,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

ISSI SRAM 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,512K x 8,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin sTSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500