ISSI SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

256 kbit 32 k x 8 45 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-44 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-44

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

128 Mb 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 128K x 36 Sync SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel