ISSI SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR II (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 4 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

18 Mbit 1 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 580 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 7.5ns Sync SRAM 3.3v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,7.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 36,7.5ns,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,2Mb x 18,6.5 or 7.5ns,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72
Max.: 200

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,2Mb x 18,6.5 or 7.5ns,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100