ISSI SRAM

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,250MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

72 Mbit 2 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,250MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,250Mhz,2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

36 Mbit 1 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

72 Mbit 2 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,250MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

72 Mbit 2 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,250Mhz,2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,250Mhz,2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

36 Mbit 1 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
18 Mbit 512 k x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

18 Mbit 512 k x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,166MHz,1.8V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

36 Mbit 2 M x 18 3.8 ns 166 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,4Mb x 18,1.8V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 300 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,4Mb x 18,1.8V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 300 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,166MHz,1.8V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

36 Mbit 2 M x 18 3.8 ns 166 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

16 Mbit 1 M x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 1M 64Kx16 10ns LP Async SRAM I-Temp
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tray
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (10ns), 44 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Reel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

16 Mbit 1 M x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Pin SOJ (400mil), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400mil), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Reel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin SOJ, RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

1 Mbit 128 k x 8 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel