ISSI SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin SOJ, RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

1 Mbit 128 k x 8 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 1.65V-.2.2V, 30MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

4 Mbit 512 k x 8 30 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

4 Mbit 512 k x 8 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,45ns,2.2v~3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

1 Mbit 128 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Reel

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 32 Pin SOJ (300 mil), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 12 ns 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 15 ns 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flowthrough,Sync,1024K x 36,7.5ns,3.3V I/O, 100 Pin TQFP, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

BGA-119 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

BGA-119 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flowthrough,Sync,1024K x 36,7.5ns,3.3V I/O, 100 Pin TQFP, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT QFP-100