ISSI SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

4 Mbit 70 ns 3.6 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 512K,High-Speed,Async,32K x 16,12ns,5v,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 64 k x 36 8.5 ns 90 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube

ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 8ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 3.135 V 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb 10ns 128Kx8 Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 95 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3v or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

18 Mbit 2.6 ns 250 MHz 3.465 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 36,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 36,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,64K x 32,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 32 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,2.5v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel