ISSI SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
ISSI IS62C5128EL-45QLI-TR
ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,512K x 8,45ns,5v,32 Pin SOP (450 mil), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
Reel
ISSI IS62C5128EL-45TLI-TR
ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,512K x 8,45ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
Reel
ISSI IS62WV5128EBLL-45QLI
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin SOP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS62WV6416FBLL-45BLI
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT BGA-48
ISSI IS66WVH64M8DALL-166B1LI-TR
ISSI SRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
ISSI IS62WV10248EBLL-45BLI-TR
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
ISSI IS62WV10248EBLL-45BLI
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI IS62WV102416DBLL-45TLI-TR
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

Reel
ISSI IS62WV10248EBLL-45TLI-TR
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
ISSI IS62WV12816FBLL-45TLI-TR
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI IS62WV6416FBLL-45TLI
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI-TR
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,55ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel
ISSI IS66WVO32M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
256 Mbit 32 M x 8 5 ns 200 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 3.0V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
128 Mbit 16 M x 8 6 ns 133 MHz 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
256 Mbit 32 M x 8 6 ns 133 MHz 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI IS66WVO32M8DBLL-133BLI
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

256 Mbit 32 M x 8 7 ns 133 MHz Serial 3.6 V 2.7 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

128 Mbit 16 M x 8 5 ns 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Reel